El chip de fotodiodo (PD) se utiliza para la detección de luz en el detector de rayos X. Es uno de los componentes importantes del sistema detector de rayos X al convertir la luz visible emitida por el centelleador en señales eléctricas para su salida, a fin de obtener la imagen que contiene la información del objeto detectado. Los chips PD suelen estar hechos de materiales de silicio monocristalino. A través del proceso semiconductor, se forma el área de detección de píxeles, que tiene una corriente de fuga y una capacitancia de unión bajas, y una alta respuesta luminosa al amplio espectro de luz visible. Los chips PD incluyen diferentes tamaños de diseño, desde una matriz lineal unidimensional hasta una matriz plana bidimensional, los tamaños de píxeles incluyen 0,4 mm, 0,8 mm, 1,2 mm, 1,6 mm, 2,5 mm, 4,6 mm y otras especificaciones, y se pueden personalizar según las necesidades. Los chips PD incluyen dos tipos: iluminación frontal (FSI) e iluminación trasera (BSI), que se pueden seleccionar según las diferentes aplicaciones. El módulo detector se forma mediante el proceso de envasado con centelleador, que tiene una amplia gama de aplicaciones en campos de detección de radiación e imágenes como seguridad, detección de alimentos, detección industrial, TC de seguridad, TC médica, etc.
Características
| PD |
| Tamaño y paso de píxeles |
0,4~4,6 mm, se puede personalizar |
| corriente oscura |
≤5pA(FSI), ≤3pA (BSI) |
| capacitancia de unión |
≤15pF (1 mm2, FSI), ≤12 pF (1 mm2, BSI) |
| Espectro de respuesta |
320~1100nm |
| Fotosensibilidad |
0,36 a 510 nm (FSI), 0,34 a 510 nm (BSI) |
| Linealidad |
<99% |
| Tiempo de respuesta |
< 10nosotros |
| Diafonía |
< 2% |
